SiC MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快，在大電流大電壓工作條件下，開(kāi)關(guān)瞬態(tài)會(huì)產(chǎn)生非常高的電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt，因此其對(duì)功率回路的寄生參數(shù)非常敏感，容易產(chǎn)生嚴(yán)重的高頻振蕩。研究發(fā)現(xiàn)，SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開(kāi)通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬態(tài)的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
從上述分析可知，無(wú)論是電流還是電壓，開(kāi)關(guān)瞬態(tài)的高頻振蕩都與寄生參數(shù)密切相關(guān)，這就需要在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中正確選擇驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電阻和外加電容來(lái)減小電壓電流變化率，或者添加適當(dāng)?shù)腞C阻尼電路等，減小高頻振蕩的影響。
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