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      6. MOSFET可靠性測(cè)試圖文介紹
        • 發(fā)布時(shí)間:2023-06-13 19:04:41
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        MOSFET可靠性測(cè)試圖文介紹
        HTRB 高溫反偏測(cè)試
        高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流,考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點(diǎn)或退化效應(yīng)。
        測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-108
        測(cè)試條件為:Tj = max, Vds=80% of Vdsmax, Vgs=0
        測(cè)試原理圖如下:
        MOSFET 測(cè)試
        在測(cè)試中,需持續(xù)監(jiān)測(cè)MOSFET源極-漏極的漏電流,如果漏電流超過(guò) 電源 設(shè)定上限,則可以判定為失效。
        HTGB 高溫門(mén)極反偏測(cè)試
        高溫門(mén)極反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證柵極漏電流的穩(wěn)定性,考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET柵極氧化層。
        測(cè)試標(biāo)準(zhǔn): JESD22-108
        測(cè)試條件為:Tj = max, Vgs=100% of Vgsmax, Vds=0
        測(cè)試原理圖如下:
        MOSFET 測(cè)試
        在測(cè)試中,需持續(xù)監(jiān)測(cè)門(mén)極的漏電流和門(mén)極電壓,若這兩項(xiàng)參數(shù)超出指定規(guī)格,則MOSFET將不能通過(guò)此項(xiàng)測(cè)試。
        H3TRB 高溫高濕反偏測(cè)試
        高溫高濕反偏測(cè)試,也就是大家熟悉的雙85測(cè)試,主要用于測(cè)試溫濕度對(duì)功率器件長(zhǎng)期特性的影響。
        測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22A-101
        測(cè)試條件為:1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度85℃,相對(duì)濕度85%,VCE=100V
        測(cè)試原理圖如下:
        MOSFET 測(cè)試
        在這一項(xiàng)測(cè)試中,施加的電場(chǎng)主要用于半導(dǎo)體表面離子積累和極性分子的驅(qū)動(dòng)力,但是為了避免測(cè)試過(guò)程中漏電流產(chǎn)生的溫升降低相對(duì)濕度,所以對(duì)于MOSFET器件,一般選用100V做為測(cè)試電壓,這樣能將芯片的自加熱溫度控制在2℃以內(nèi)。
        應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)表明,許多現(xiàn)場(chǎng)失效與濕度有著不可分割的關(guān)系,因此引入了高壓高溫高濕反偏測(cè)試的討論,即HV-H3TRB測(cè)試。隨著MOSFET芯片的技術(shù)更新以及部分高可靠性應(yīng)用的要求,測(cè)試電壓可調(diào)整為阻斷電壓的100%,保證MOSFET在高濕度應(yīng)用情況下具有更高的可靠性。
        HTSL 高溫存儲(chǔ)測(cè)試/LTSL 低溫存儲(chǔ)測(cè)試
        高溫存儲(chǔ)測(cè)試和低溫存儲(chǔ)測(cè)試主要用于驗(yàn)證MSFET封裝結(jié)構(gòu)和材料的完整性。
        測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22A-103
        測(cè)試條件為:高溫 1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度:125℃;低溫 1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度:-40℃
        測(cè)試原理圖如下:
        MOSFET 測(cè)試
        測(cè)試前后需對(duì)比MOSFET靜態(tài)性能參數(shù),并檢查封裝外觀是否發(fā)生異常。
        IOL 間歇運(yùn)行壽命測(cè)試
        對(duì)比溫度循環(huán),在間歇運(yùn)行壽命測(cè)試中,測(cè)試樣品通過(guò)流過(guò)半導(dǎo)體的電流進(jìn)行主動(dòng)加熱至最高目標(biāo)溫度,然后關(guān)斷電流,通過(guò)風(fēng)冷將樣品主動(dòng)冷卻到最低溫度。循環(huán)時(shí)間大約為2分鐘。此項(xiàng)測(cè)試的目的是確定MOSFET在特定條件下的開(kāi)關(guān)循環(huán)次數(shù)是否符合規(guī)定。
        測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750 : 1037
        測(cè)試條件為:Ta=25°C, ΔTj>105°C, on/off=2min
        測(cè)試原理圖如下:
        MOSFET 測(cè)試
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