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深圳市烜芯微科技有限公司
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電路設(shè)計(jì),MOSFET內(nèi)部二極管應(yīng)用逆變器介紹
2023-06-20
電路設(shè)計(jì),MOSFET內(nèi)部二極管應(yīng)用逆變器介紹MOSFET體內(nèi)二極管MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影
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MOSFET的寄生電容,靜電容量解析
2023-06-20
MOSFET的寄生電容,靜電容量解析MOSFET的靜電容量在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在
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MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性介紹
2023-06-17
MOSFET的開(kāi)關(guān)及其溫度特性介紹關(guān)于MOSFET的開(kāi)關(guān)時(shí)間柵極電壓ON OFF之后，MOSFET才ON OFF。這個(gè)延遲時(shí)間為開(kāi)關(guān)時(shí)間。開(kāi)關(guān)時(shí)間如表1所示種類(lèi)
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電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng),MOSFET寄生二極管功耗介紹
2023-06-17
電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng),MOSFET寄生二極管功耗介紹本文分析一下使用有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的
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MOSFET的截止頻率計(jì)算介紹
2023-06-17
MOSFET的截止頻率計(jì)算介紹MOSFET的截止頻率定義在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱(chēng)為：transit frequency(fT)
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MOS管各種泄漏電流的原因解析
2023-06-17
MOS管各種泄漏電流的原因解析MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進(jìn)而降低了
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MOS管理想的開(kāi)關(guān)特性,實(shí)用開(kāi)關(guān)特性介紹
2023-06-16
MOS管理想的開(kāi)關(guān)特性,實(shí)用開(kāi)關(guān)特性介紹電子開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)是電子電路中的重要方面之一。像 BJT 或mos管 之類(lèi)的半導(dǎo)體器件通常作為開(kāi)關(guān)操
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MOS管開(kāi)關(guān)電路實(shí)例介紹
2023-06-16
MOS管開(kāi)關(guān)電路實(shí)例介紹MOS管開(kāi)關(guān)電路實(shí)例1在下圖所示的電路中，增強(qiáng)型 N 溝道m(xù)os管用于切換簡(jiǎn)單的燈ON和OFF（也可以是 LED）。柵極輸入
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MOS管結(jié)構(gòu),MOS管導(dǎo)電溝道的形成介紹
2023-06-16
MOS管結(jié)構(gòu),MOS管導(dǎo)電溝道的形成介紹導(dǎo)電溝道的形成NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs=0時(shí)，漏極
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MOS管柵極下拉電阻的阻值選取介紹
2023-06-15
MOS管柵極下拉電阻的阻值選取介紹這是一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)普通直流電機(jī)的電路圖。解釋一下電路：TC4426是一個(gè)MOS管驅(qū)動(dòng)芯片，供電電壓12V，如果P
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Layout中的MOS管電容介紹
2023-06-15
Layout中的MOS管電容介紹以下是NMOS電容的C-V特性曲線(xiàn)。當(dāng)Gate的電壓是一個(gè)負(fù)值時(shí)，在靠近襯底的氧化層面，會(huì)吸引空穴，這時(shí)候的NMOS管工作
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NMOS管,PMOS防止電源反接電路介紹
2023-06-15
NMOS管,PMOS防止電源反接電路介紹MOS管防反接電源反接，會(huì)給電路造成損壞,不過(guò),電源反接是不可避兔的。所以就需要給電路中加入保護(hù)電路,達(dá)