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      6. MOS管緩啟動電路介紹
        • 發(fā)布時間:2024-12-25 18:03:08
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        MOS管緩啟動電路介紹
        實例講解MOS管緩啟動電路
        為什么需要電源啟動?電源緩啟動能做什么?
        緩啟動,顧名思義就是讓電路電源緩慢開啟。
        那解釋起來這么簡單,工作原理是否如此呢?
        今天我們帶著上面的疑問一起來討論電源緩啟動的應(yīng)用分析。
        首先,為什么我們需要電源緩啟動?
        我們先拿電子系統(tǒng)中常見的功能“熱插拔”來舉例子。
        (熱插拔:在系統(tǒng)正常工作時,帶電對系統(tǒng)的某個單元進行插拔操作,且不對系統(tǒng)產(chǎn)生任何影響。)
        熱插拔一般對電子系統(tǒng)有兩方面影響:1.熱插拔時,連接器的機械觸點在接觸瞬間會出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩;2.熱插拔時,由于系統(tǒng)大容量儲能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)中會出現(xiàn)很大的沖擊電流。
        由于以上原因,特別是瞬時產(chǎn)生的大電流,工作時產(chǎn)生明顯的打火現(xiàn)象,這會引起電磁干擾,并對接插件造成腐蝕。因此需要“緩慢”上電。
        在這里我們可以得出緩啟動電路兩種主要的作用:1.防抖動延時上電2.控制輸入電流的上升斜率和幅值。
        MOS管緩啟動電路介紹
        下面我們使用MOS管來講解一個緩啟動電路工作原理。
        MOS管具備低導(dǎo)通阻抗(Rds_on)和驅(qū)動簡單的優(yōu)勢,在這基礎(chǔ)上配合其它的元器件,就能構(gòu)成緩慢啟動電路。
        通常情況下,在正電源中用PMOS,在負(fù)電源中使用NMOS。
        如下圖:用一個NMOS管搭建的一個-48V電源緩啟動電路圖
        MOS管緩啟動電路介紹
        我們先對“其它元器件”進行簡單說明:
        1) D1(TVS管):一般用于電源電路的浪涌防護,防止MOS管導(dǎo)通前輸入電壓過大損壞后級電路;
        2) D2(肖特基二極管):隔離防抖動延時電路與上電斜率控制電路(防止受C1的影響);
        3) D3(穩(wěn)壓二極管):保證VGS電壓的穩(wěn)定并保護MOS管Q1的柵-源極不被高壓擊穿;
        4) R2/R1和C1:R1為C1提供快速放電通道;R1/R2分壓值大于D3的穩(wěn)壓值;
        5) R3和C2:控制電源電壓上升斜率;
        6) R4和R5:防止MOS管自激振蕩。
        在上圖中,Q1為MOS管,Cgs為其柵-源極間的寄生電容,Cgd為柵-漏極間的寄生電容,Cds為漏-源極間的寄生電容。
        可以看到,柵-漏極外部并聯(lián)了電容C2 ,這里的柵-漏極的總電容是C’gd=C2+ Cgd,相對于C2 來說,Cgd的容值幾乎忽略不計,所以C’gd和C2幾乎相等。
        MOS管的柵極開啟電壓Vth,在正常工作的情況下,其柵源電壓為Vw,這里的電壓等于穩(wěn)壓管D3的嵌位電壓,電容C1充電的時間常數(shù)t=(R1//R2//R3)C1,由于R3通常會比R1、R2大很多,所以t≈(R1//R2)C1。
        此電路工作過程可分為四個階段:
        MOS管緩啟動電路介紹
        如圖所示:A、B為防抖電路;C、D為電壓緩起電路。
        第一階段:
        -48V電源對C1充電,MOS管開啟后,漏極電流開始增大,此時的變化速度與MOS管的跨導(dǎo)和柵源電壓變化率成正比;此時:
        VA電壓隨輸入快速下降;
        VB電壓瞬間降至-48V,隨后緩慢上升對C1兩端電壓充電;
        VC電壓瞬間被Vb拉低D2導(dǎo)通,其稍高于VB。隨著R1/R2對C1的充電,此時VGS(=Vc-Va)也跟著增大,Q1處于截止?fàn)顟B(tài)。
        當(dāng)Q1處于截止?fàn)顟B(tài),也就是Vd=0V。由于C2通過R5瞬間充滿電,Vcd電壓與C2的初始電壓都為-47.6V,然后隨著電壓VC升高而緩慢放電。
        R3向D2流經(jīng)電流,VB點電壓從-48V開始緩慢上升,Vc電壓跟著-47.6V緩慢上升;
        (啟動時Vgs,Vds和Ids的變化)
        MOS管緩啟動電路介紹
        第二階段:
        VGS電壓VGS(th)上升至Vplt,MOS管Q1為完全打開。
        一般最好在米勒平臺之前結(jié)束防抖動電路作用,此后開啟時間由電壓緩啟動電路負(fù)責(zé);取決于R1/R2與C1充然后到至VGS(th)的時間,同時也包括R3與C2充電時間的計算。
        第三階段:
        此時就到達米勒平臺階段。當(dāng)漏電流(Idrain)不斷增大,直至負(fù)載端電壓VD由0V開始下降,此時開始米勒平臺階段;
        一般開啟瞬間設(shè)備電源輸入最大電流,是在設(shè)備電源電壓開始上升之前,此時Q1能夠通過自身的壓降來限制沖擊電流的大小;
        Id電流維持ID,Vds電壓不斷降低。
        第四階段:
        米勒平臺階段結(jié)束后,Vd為-48V保持不變;Id電流仍然維持ID,Vds電壓降低到一個較低的值,但此時降低的斜率與幅度比較小,最后穩(wěn)定。
        通常我們可以認(rèn)為米勒平臺結(jié)束后MOSFET基本上已經(jīng)導(dǎo)通。
        MOS管 在其中的應(yīng)用說明
        由以上我們可以看出,MOS管在開關(guān)電源應(yīng)用領(lǐng)域里是一個非常重要的器件.
        MOS管由于開關(guān)速度快,通流能力強,非常適合在低壓,大電流,中等功率等應(yīng)用中,能有效提升電源轉(zhuǎn)換效率。其重要性具體如下,但不限于:
        1.開關(guān)電源的開關(guān)(對上管)和續(xù)流二極管(對下管),可以通過MOS管來實現(xiàn),其上管和下管開啟/關(guān)閉的時間決定了MOS管的開關(guān)損耗:
        2. 在導(dǎo)通過程中,從MOS管打開至米勒平臺結(jié)束這個階段,是開關(guān)導(dǎo)通中的重點階段。
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