IGBT在柵極和發(fā)射極之間加入正電壓就可以進(jìn)行導(dǎo)通。不過(guò)，這個(gè)正電壓至少需要高于閾值電壓。如果柵極和發(fā)射極之間的電壓低于閾值電壓，IGBT則將關(guān)閉或者處于截止?fàn)顟B(tài)。
由于IGBT的跨導(dǎo)，集電極電流IC是柵-射極電壓的函數(shù)，此外，飽和壓降也受控于該電壓。即，柵-射極電壓越高，集電極電流就越大和飽，飽和壓降就越低。不過(guò)，一般通態(tài)損耗受控于飽和壓降，因此需要使用一個(gè)相對(duì)高的控制電壓來(lái)獲得最低的通態(tài)損耗。
此外需要注意的是，短路時(shí)，高柵-射極電壓將導(dǎo)致大短路電流。一般在正常工作時(shí)IDE通態(tài)損耗和故障時(shí)的最大短路電流中取得妥協(xié)值。一般是15V，不超過(guò)20V（保證可靠工作的最大值）。
否則，在短路時(shí)極易產(chǎn)生較危險(xiǎn)的大電流。如果考慮柵極氧化層的電壓阻斷能力。
2.負(fù)電壓控制
當(dāng)施加一個(gè)負(fù)的柵極電壓，IGBT將會(huì)關(guān)斷。同正電壓一樣，負(fù)電壓不低于-20V，-15V是數(shù)據(jù)手冊(cè)的典型值。不過(guò)，在實(shí)際應(yīng)用中，成本與性能一樣重要，-15V并不適合所有場(chǎng)合。實(shí)際應(yīng)用中關(guān)斷電壓可以選擇-15V~0V，但許多場(chǎng)合應(yīng)用會(huì)選擇-10~-5V的關(guān)斷電壓，原因在于：
1. 所需要的驅(qū)動(dòng)功率低；
2. 可用的驅(qū)動(dòng)IC，許多驅(qū)動(dòng)IC在CMOS上開發(fā)的，會(huì)限制阻斷電壓，比如說(shuō)正負(fù)電源電壓之間的最大值會(huì)是30V；
因此，柵極負(fù)電壓的范圍會(huì)選擇-10V~-5V，產(chǎn)生負(fù)柵極電壓的同時(shí)節(jié)約電源功率，最小化成本。例如一些低成本的IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，放棄負(fù)電壓可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)供電的設(shè)計(jì)。
不過(guò)，采用0V關(guān)斷，在一些大功率電力電子裝置上，可能會(huì)面臨寄生開通的問(wèn)題。
寄生導(dǎo)通：指被關(guān)斷的IGBT再次短時(shí)間導(dǎo)通的過(guò)程。
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