反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因?這是一個典型的問題,本質(zhì)原因就是功率級寄生電容、電感引起的諧振；問題其實應(yīng)細(xì)化為:為什么會有兩次諧振,諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的?
如下為反激式電源實現(xiàn)方案,該方案采用初級側(cè)穩(wěn)壓(PSR)技術(shù),
Q1導(dǎo)通時,變壓器初級電感存儲能量,輸出續(xù)流二極管Dfly反向偏置,Cout輸出能量給負(fù)載;
Q1關(guān)斷時,變壓器初級線圈釋放能量,輸出續(xù)流二極管正向偏置,向輸出端提供電能;
開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振,即:在MOS管開通、關(guān)斷切換的過程中,寄生電感將能量傳遞給寄生電容進行充電,充電結(jié)束后寄生電容又釋放電能給寄生電感儲能,如此循環(huán)往復(fù)。
提問圖片中,有2次諧振,
第一次諧振
該諧振產(chǎn)生的時間點在MOS管關(guān)斷的瞬間,等效諧振電路如下:
Loop:初次級間的漏電感、初級勵磁電感、功率MOSFET封裝電感之和
Coss:MOS管寄生電容、線路寄生電容
第二次諧振
這是開關(guān)電源DCM模式特有的一個振鈴現(xiàn)象,
此處你必須要了解開關(guān)電源電感如下兩種模式:
CCM:連續(xù)導(dǎo)通模式,次級端反射電流在MOS通斷,變壓器線圈換相期間不會到達0;
DCM:斷續(xù)導(dǎo)通模式,次級端反射電流在MOS通斷,變壓器線圈換相期間到達0。
在DCM模式下,當(dāng)MOS管關(guān)斷,且在次級反射電流消耗為0之前,次級線圈輸出相位的電壓高于實際輸出電壓;當(dāng)反射電流消耗為0,即次級線圈電流消耗為0時,實際輸出電壓由輸出電容提供,此時次級輸出相位的電壓等于0,在次級輸出相位電壓由高于輸出電壓到等于0的變化過程中,會出現(xiàn)電壓的衰減振蕩,而該衰減振蕩會耦合到初級線圈并加載在MOS與線圈連接的開關(guān)節(jié)點處。
由于該諧振給MOS管的寄生電容充電,若MOS在此時導(dǎo)通,則可能碰到寄生電容電位被充到較高的時刻,此時寄生電容所充電的能量若被直接導(dǎo)到GND會造成MOS管的導(dǎo)通損耗,針對該問題,誕生出了準(zhǔn)諧振技術(shù),即:DCM模式下,初級側(cè)MOS在開關(guān)節(jié)點諧振電壓擺幅的谷底附近導(dǎo)通。
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