大家都知道MOS管屬于電壓控制型元器件。即在MOS管的柵極加上電壓時，當(dāng)柵-源電壓壓差大于Vgs(th)時，MOS管即可導(dǎo)通（不能大太多，否則會燒毀）。當(dāng)源極電壓確定后，我們可以通過控制柵極電壓實現(xiàn)MOS管的導(dǎo)通與截止，這樣也就實現(xiàn)了MOS管漏極或者柵極負(fù)載的開與關(guān)。
1、NMOS管
源極接地，柵源極電壓等于柵極電壓，此時我們在柵極電壓處加上PWM，即可實現(xiàn)MOS管的導(dǎo)通與截止，導(dǎo)通時，發(fā)光二極管正常工作。截止時，發(fā)光二極管停止工作。
發(fā)光二極管不接在柵極處，原因，此時不方便判斷柵源電壓。通常在NMOS管做開關(guān)，負(fù)載接在漏極。
2、PMOS管
源極接電壓，柵極接PWM。柵源電壓大于Vgs(th)時，MOS管導(dǎo)通。發(fā)光二極管工作。當(dāng)柵源電壓小于Vgs(th)時，MOS管截止，發(fā)光二極管停止工作。
發(fā)光二極管不接在源極，因為無法判斷源極電壓。沒有直接接在漏極方便。
總之做開關(guān)時，負(fù)載接在漏極。
在一些場景下，電路還會進(jìn)行軟啟動的設(shè)計。
即如下所示：
電阻R與C構(gòu)成了軟啟動的作用。
軟啟動使得MOS管柵極上電較更為平緩，同時時間增加。
如下為其他項目用到延時與否的對比。
軟啟動
非軟啟動
可以看到軟啟動效果更加優(yōu)于不加軟啟動措施，所以軟起動的設(shè)計，在MOS管做開關(guān)時也是尤為重要。
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