單相逆變不間斷電源設計電路中的全橋逆變電路部分。
它是由兩個IR2101驅(qū)動和4個MOS管構成的全橋逆變電路。
提問：IR2101不是半橋驅(qū)動芯片嗎？沒錯，的確是半橋驅(qū)動芯片，和IR2104一樣的，常被用在三相逆變電路中做三個半橋驅(qū)動逆變電路來生成三相波。那組成全橋逆變電路又是什么原理呢。
我們首先來看一下IR2101的常用連接電路和內(nèi)部電路。
看這些可能看不明白，結合內(nèi)部電路和我們的設計電路來一起看就會清楚很多。我們都知道MOS管需要高電平導通工作（大概15V±5V左右）。
本設計電路中，D3和C5會和負載共同構成一個常見的Boost升壓電路，會在芯片8腳（也就是VB腳）上產(chǎn)生一個較高的電壓，從而成功驅(qū)動MOS管開閉。
C5升壓就需要IR2101先開通低端MOS管（Q5），來給C5充電，然后再開高端MOS管（Q6）；如果上橋需要保持一個比較長的時間則需要重復充電的動作來保證VB腳的電位不會低于一個較高的電位（高于1腳電壓10V左右）
電壓型全橋逆變電路可看成由兩個半橋電路組合而成,共4個橋臂,橋臂3和6為一對,橋臂4和5為另一對,成對橋臂同時導通,兩對交替各導通180°半橋恒導通，即Q3和Q6恒導通，這樣上管Q3的源極電位就變成了VCC，而柵級必須比源級高10V～20V才能保持Q3的DS導通，否則MOS管會進入線性區(qū)開始發(fā)熱。
驅(qū)動IR2101的5腳和7腳是互補輸出，一個是高電平輸出，另一個就是低電平輸出，這也確保了導通的上橋升壓電容充電正常。
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