用分立元件做MOS管驅(qū)動(dòng)
圖1 分立元件MOS驅(qū)動(dòng)電路
如圖1所示，這是用三極管、二極管、電阻、電容分立元件搭建的MOS驅(qū)動(dòng)電路。
分析情況如下：
當(dāng)VH為高電平，Q4就會(huì)導(dǎo)通是的Q1的基極為低電平，同時(shí)使得Q1導(dǎo)通，VCC-10V電壓通過二極管D1、三極管Q1、二極管D2、電阻R1驅(qū)動(dòng)MOS管Q2的G極；
當(dāng)VH為低電平，Q4就不會(huì)導(dǎo)通，所以Q1的基極沒有電流流過也處于截止?fàn)顟B(tài)，所以VCC-10V電壓不會(huì)通過三極管Q1，那么沒有電壓驅(qū)動(dòng)MOS管Q2的G極，由于MOS管Q2內(nèi)部寄生電容和電容C2的存在，G極處存在累計(jì)電荷，要通過三極管Q3和電阻R5釋放掉；
當(dāng)VL為低電平，Q7基極有電流流過，所以Q5的集電極和發(fā)射極導(dǎo)通，導(dǎo)致Q5基極也流過電流，所以VCC-10V電壓通過三極管Q5、二極管D3、電阻R7對MOS管的G極進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；
當(dāng)VL為高電平，Q7基極無電流流過，所以三極管Q7不會(huì)導(dǎo)通，那么導(dǎo)致Q5的發(fā)射極和基極處于等電位，Q5的基極也無電流流過，Q5也處于截止?fàn)顟B(tài)，同理三極管Q8和電阻R12組成放電電路對G極電荷進(jìn)行放電。
分析驅(qū)動(dòng)電路自舉電容的作用
這里面有個(gè)元件可能剛上手分析的時(shí)候，弄不懂作用，是哪個(gè)呢？是電容C1。由于電容上的電壓不能突變，這里利用電容這個(gè)特性來更好的驅(qū)動(dòng)MOS管的G極，這里你肯定有所疑問，那么沒有這個(gè)電容就不能驅(qū)動(dòng)嗎？答案：不能。
在分析電容C1的作用時(shí)，首先需要明白，MOS管導(dǎo)通的條件是：
G極對地電壓還是GS之間的電壓差？
由于MOS驅(qū)動(dòng)是G極電壓和S極電壓的電位差，所以當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí)，VAAA電壓直接加到MOS管的S極，（這里假設(shè)VAAA電壓為12V，G極對地驅(qū)動(dòng)電壓為10V）所以MOS管的GS電壓差為：
10V-12V=-2V，由于GS之間為負(fù)電壓，對于N溝道的MOS管，會(huì)導(dǎo)致DS之間處于截止?fàn)顟B(tài)，所以需要一個(gè)電壓來抬高G極之間的電壓，當(dāng)然有種方法是直接用高電壓電源直接驅(qū)動(dòng)G極，但是通過MOS管的G極耐壓都是非常有限的；
那么這個(gè)時(shí)候電容的作用就體現(xiàn)出來了，當(dāng)MOS管導(dǎo)通會(huì)使得S極電壓為VAAA，由于電容的一端與MOS的S極連接，所以這一端電容電壓瞬間為VAAA，由于電容上電壓不能突變的特性，使得電容另一端電壓也增加了VAAA；
所以電容另一端的電壓約等于VAAA+VCC-10V，如圖2所示，這里用了二極管D1來隔離電容C1上電壓和VCC-10V，這樣的做法使得MOS管導(dǎo)通后，G極驅(qū)動(dòng)電壓克服了S極電壓抬高的原因。
圖2 驅(qū)動(dòng)電路中自舉電容電壓的變化
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