TIP42C是功率三極管
TIP42C 中文資料
類別：分離式半導體產品
家庭：晶體管(BJT) - 單路
晶體管類型：PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：6A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：100V
Ib、Ic 條件下的 Vce 飽和度（最大）：1.5V @ 600mA, 6A
電流 - 集電極截止（最大）：700µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：15 @ 3A, 4V
功率 - 最大：2W
頻率 - 轉換：3MHz
安裝類型：通孔
封裝 / 外殼：TO-220-3 (直引線)
引腳圖及功能
引腳號
引腳名稱
1 基集
2 集電極
3 發射極
工作原理
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有 NPN 和 PNP 兩種結構形式，但使用最多的是硅 NPN 和鍺 PNP 兩種三極管，（其中，N 是負極的意思（代表英文中 Negative），N 型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而 P 是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹 NPN 硅管的電流放大原理。
對于 NPN 管，它是由 2 塊 N 型半導體中間夾著一塊 P 型半導體所組成，發射區與基區之間形成的 PN 結稱為發射結,而集電區與基區形成的 PN 結稱為集電結,三條引線分別稱為發射機 e （Emitter）、基極 b (Base)和集電極 c (Collector)。
當 b 點電位高于 e 點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而 C 點電位高于 b 點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電極電源 Ec 要高于基極電源 Eb。
在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電子流。
由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流 Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源 Eb 重新補給，從而形成了基極電流 Ibo. 根據電流連續性原理得：Ie=Ib+Ic
三極管的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化。
三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常通過電阻將三極管的電流放大作用轉變為電壓放大作用。
內部結構
1、發射區向基區發射電子
電源 Ub 經過電阻 Rb 加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流 Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由于多數載流子濃度遠低于發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與復合
電子進入基區后，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流 Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
3、集電區收集電子
由于集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流 Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用 Icbo 來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。
作用和用途
具有電流放大作用，其實本質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb 的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數，用符號“β”表示。電流放大倍數對于某一只三極管來說是一個定值，但隨著三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。
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