如下圖所示：
從上圖我們可以看出，這個電源屬于典型的反激轉換型開關電源，我們也可以稱之為回掃變壓器型開關電源。這個電路從功能上大致可以分為電源輸入電路，啟動電路，主開關電路，保護電路，二次繞組整流濾波電路及反饋穩壓電路。
電源輸入電路主要由保險管F1、差模電容C11、C12；共模扼流圈L1、NTC、共模C3與C6；整流器D6；高壓濾波電容E2、E3組成。
啟動電路主要由R5；R14；濾波電阻E1和穩壓二極管Z1組成。
主開關電路由芯片1M0880與周圍元器件共同組成。
保護電路：由VD1；C10和R8組成高壓尖峰吸收保護線路，由C4和R3組成MOS管開關保護線路；由C9和R1組成的二極管開關保護線路。
二次繞組整流濾波電路元器件就比較復雜，我們在下面再詳細介紹。
主芯片的內部結構圖，如下圖所示：
據介紹里說，這款是周期過電流限制，具有過載、過壓保護功能、欠壓鎖定、軟啟動、內部溫度關斷等優良的保護特性。
工作原理：
電源經保險管F1輸入，電容C11、C12與扼流圈L1組成濾除電網共模干擾；C11、C12安規電容，電容C3和C6用于濾除電網差模干擾。
NTC是負溫度系數熱敏電阻，剛上電時電阻值較大，正常工作時，發熱后電阻阻值變得較小，用于防止上電瞬間電網高壓大電流對濾波電容E2、E3的沖擊。
VD5為整流橋，將交流電壓整流成脈動電壓，再經E2、E3濾波，圖中有個細節，那就是E2和E3都是200V耐壓的電容，所以我們要將E2和E3進行串聯；R9和R11分別E2和E3的放電電阻，在外接電源切斷，芯片不能正常工作時，R9和R11就會將E2和E3上殘留的電能進行釋放，以免對人體意外觸電。
R5為啟動電阻，電壓加到芯片的供電端，一旦系統正常工作后，二次繞組經VD4整流，E1濾波給芯片提供電源，電阻R12與電容E1組成RC濾波電路，提高電源的穩定性。穩壓管Z1用于限制電壓過高，防止損壞芯片，正常工作時，二次繞組的輸出電壓一般不會超過Z1的穩壓值。
VD1、C10和R8組成RCD尖峰吸收電路，吸收芯片內部MOS管截止時一次繞組產生的尖峰電壓。同理電阻R3和電容C4并聯在芯片內部場效應管兩端，也是起到保護作用。這種運用非常普遍，尤其是在可控硅電路中最為常見。
二次繞組整流由VD3承擔，E3~E7為輸出端濾波電容，5只470uF電容并聯，相當于2350uF的容量。另外電容與L2構成π型濾波線路，輸出穩定電壓，紋波電壓小，R13為電容的負載電阻，也可以稱為放電電阻。R4為發光二極管DS1的限流電阻，用于指示電源正常工作與否。
穩壓電路由電阻R2、R7、RW1和431共同組成，根據參數，我們可以計算出二次繞組的輸出電壓為：Uo=2.5*【1+R7/（R2+RW1）】；調節RW1的阻值，當RW1=0時，輸出電壓為27.5V；當RW=2K時，輸出電壓為22.6V。
穩壓電路主要依靠431來平衡輸出電壓，當我們電源輸出電壓升高時，431的參考端電壓也同步上升，驅動能力增強，經光耦拉低芯片的反饋FB腳電壓，使得芯片開關占空比減小，輸出電壓相應降低，平衡了上升的電壓值，達到自動控制平衡效果。
軟啟動功能是由芯片5腳來控制，初始上電瞬間，反饋信號還沒有建立時，軟啟動可以限制芯片內部場效應管導通的最大電流，防止擊穿。
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