金屬氧化物半導體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。

P溝道MOS管工作原理的特性

Vgs小于一定的值就會導通，適宜用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，固然PMOS可以很便當?shù)赜米鞲叨蓑?qū)動，但由于導通電阻大，價錢貴，交流種類少等緣由，在高端驅(qū)動中，通常還是運用NMOS。

正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負值，以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時為了在襯底頂表面左近構(gòu)成導電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應(yīng)為負。

1．Ｖds≠Ｏ的情況導電溝道構(gòu)成以后，ＤＳ間加負向電壓時，那么在源極與漏極之間將有漏極電流Ｉd流通，而且Ｉd隨Vds而增加．Ｉd沿溝道產(chǎn)生的壓降使溝道上各點與柵極間的電壓不再相等，該電壓削弱了柵極中負電荷電場的作用，使溝道從漏極到源極逐漸變窄．當Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），溝道在漏極左近呈現(xiàn)預(yù)夾斷．

2．導電溝道的構(gòu)成（Ｖds＝0）當Vds=0時，在柵源之間加負電壓Vgs，由于絕緣層的存在，故沒有電流，但是金屬柵極被補充電而聚集負電荷，Ｎ型半導體中的多子電子被負電荷排斥向體內(nèi)運動，表面留下帶正電的離子，構(gòu)成耗盡層，隨著Ｇ、Ｓ間負電壓的增加，耗盡層加寬，當Vgs增大到一定值時，襯底中的空穴（少子）被柵極中的負電荷吸收到表面，在耗盡層和絕緣層之間構(gòu)成一個Ｐ型薄層，稱反型層，這個反型層就構(gòu)成漏源之間的導電溝道，這時的Ｖgs稱為開啟電壓Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，襯底表面感應(yīng)的空穴越多，反型層加寬，而耗盡層的寬度卻不再變化，這樣我們可以用Vgs的大小控制導電溝道的寬度。

增強型P溝道m(xù)os管開關(guān)條件

pmos管作為開關(guān)使用時，是由Vgs的電壓值來控制S（source源極）和 D（drain漏極）間的通斷。

Vgs的最小閥值電壓為：0.4v，也就是說當 S（source源極）電壓 — G（gate柵極）極    > 0.4V 時， 源極 和 漏極導通。

并且Vs = Vd ，S極電壓等于D極電壓。

例如：S極 為 3.3V，G極 為0.1V，則  Vgs = Vg  —  Vs = -3.2 pmos管導通，D極電壓為3.3V

一般pmos管當做開關(guān)使用的時，S極和D極之間幾乎沒有壓降。

在實際使用中，一般G極接MCU控制管腳，S極接電源正極VCC，D極接器件的輸入。實際使用中的一個樣例如下：

RF_CTRL為低電平的時候，RF_RXD 和 RF_TXD上的電壓為 VDD。

下面電路為P溝道MOS管用作電路切換開關(guān)使用電路：

電路分析如下：

pmos的開啟條件是VGS電壓為負壓，并且電壓的絕對值大于最低開啟電壓，一般小功率的PMOS管的最小開啟電壓為0.7V左右，假設(shè)電池充滿電，電壓為4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是導通的，電路是沒有問題的。當5V電壓時，G極的電壓為5V，S極的電壓為5VV-二極管壓降（0.5左右）=4.5V，PMOS管關(guān)段，當沒有5V電壓時，G極電壓下拉為0V，S極的電壓為電池電壓（假設(shè)電池充滿電4.2V）-MOS管未導通二極管壓降（0.5V）=3.7，這樣PMOS就導通，二極管壓降就沒有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導通對負載供電。在這里用一個肖特基二極管（SS12）也可以解決這個問題，不過就是有0.3V左右的電壓降。這里使用PMOS管，PMOS管完全導通，內(nèi)阻比較小，優(yōu)與肖特基，幾乎沒有壓降。不過下拉電阻使用的有點大，驅(qū)動PMOS不需要電流的，只要電壓達到就可以了，可以使用大電阻，減少工作電流，推薦使用10K-100K左右的電阻。
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